MOS 管计算导通损耗时，应该用平均电流IAVG还是用电流有效IRMS值呢？
先定义下相关参数，以便于后续的计算．
IO -------------输出电流
IH-AVG-----------上MOS 管平均电流
IL-AVG ---------下MOS 管平均电流
IRMS(H) --------上MOS 管电流有效值
IRMS(L) -----------下MOS 管电流有效值
D ------------------上MOS 管占空比
ΔI --------------电感纹波电流
RON-H ---------上MOS 管导通电阻
RON-L ---------下MOS 管导通电阻
PON-H ---------上MOS 管导通损耗
PON-L ---------下MOS 管导通损耗
计算方法１： 基于平均电流
计算方法２： 基于电流有效值
下面是关于有效值和平均值的对比数据，可以直观的看出有效值比平均值大出很多．
所以两种方法计算出来的导通损耗也会差别很大，那么哪种方式是正确的呢？
MOS 管导通时，等效为一个电阻RDS(ON), 计算损耗时是通过积分来计算的，应该用有效值来计算。
由此可见，I 为有效值的计算公式, 所以计算时应用电流有效值来计算MOS管的导通损耗．
那么什么时候可以用平均电流来计算损耗呢？
其实输出整流二极管，MOS体二极管的导通损耗，则是用均值来计算的．
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