1)基本常识点:我们都知道MOS管的带载能力与漏源电流和内阻有关,漏源电流越大,内阻越小,带载能力越强。
2)MOS管导通后的等效电路如下:
![MOS管选择](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0723/20240723053956230.jpg)
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MOSFET导通之后,近似如上图的电阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根据电阻分压,电压跟电阻成正比,所以内阻越小,分压越小,而后端带负载的电压越高,负载的功率越大;同时MOS管的内阻越小,自身功耗也越低。若是内阻过大会导致管子的功耗过大,MOS管更易发热,寿命更短。所以通常会选择内阻较小的MOS管,带载能力也更强。
3)MOS管的内阻Rds(on)的影响因素有哪些?
(1)MOS管的导通电阻会随温度的上升而上升,如下图,MOS管的导通电阻在结温130℃时比在20℃时高出两倍多。
![MOS管选择](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0723/20240723054017806.jpg)
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(2)一般驱动电压越高,实际导通电阻越大,而且最大的导通的电路也越大,根据经验一般选择VGS=12V比较合适,如下图:
![MOS管选择](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0723/20240723054035382.jpg)
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4)增强管子的负载能力的方案
除了选择本身漏源电流比较大的MOS管之外,可以采用多个MOS管并联的方式,并联时,各个MOS管的内阻也是并联的,并联之后的内阻就减小,可以驱动更大的负载。一般来说大功率功放选择MOSFET管,因其内阻更小;如果负载内阻小了,那么如果放大器的输出阻抗不变的话,放大器的末级管子分的电压比例就会上升,所以现在的音响都选择有低内阻的MOS管,才得以向小阻抗的负载发展,以得到更好的动态效果。
5)MOS管的VGS阈值电压
一般我们看手册上参数来选择合适的MOS管:
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