1）基本常识点：我们都知道MOS管的带载能力与漏源电流和内阻有关，漏源电流越大，内阻越小，带载能力越强。
2）MOS管导通后的等效电路如下：
MOSFET导通之后，近似如上图的电阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根据电阻分压，电压跟电阻成正比，所以内阻越小，分压越小，而后端带负载的电压越高，负载的功率越大；同时MOS管的内阻越小，自身功耗也越低。若是内阻过大会导致管子的功耗过大，MOS管更易发热，寿命更短。所以通常会选择内阻较小的MOS管，带载能力也更强。
3）MOS管的内阻Rds(on)的影响因素有哪些？
（1）MOS管的导通电阻会随温度的上升而上升，如下图，MOS管的导通电阻在结温130℃时比在20℃时高出两倍多。
（2）一般驱动电压越高，实际导通电阻越大，而且最大的导通的电路也越大，根据经验一般选择VGS=12V比较合适，如下图：
4）增强管子的负载能力的方案
除了选择本身漏源电流比较大的MOS管之外，可以采用多个MOS管并联的方式，并联时，各个MOS管的内阻也是并联的，并联之后的内阻就减小，可以驱动更大的负载。一般来说大功率功放选择MOSFET管，因其内阻更小；如果负载内阻小了，那么如果放大器的输出阻抗不变的话，放大器的末级管子分的电压比例就会上升，所以现在的音响都选择有低内阻的MOS管，才得以向小阻抗的负载发展，以得到更好的动态效果。
5）MOS管的VGS阈值电压
一般我们看手册上参数来选择合适的MOS管：
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