您好!欢迎光临烜芯微科技品牌官网!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • mos管开关电路,pwm驱动mos管开关电路图介绍
    • 发布时间:2024-07-22 18:42:35
    • 来源:
    • 阅读次数:
    mos管开关电路,pwm驱动mos管开关电路图介绍
    常见pwm驱动mos管开关电路
    IRF540就是很常用的MOS管了,特殊负载如H桥里面的双MOS驱动。有专用的驱动芯片如IR2103
    如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电,会在限流电阻反向并联一个二极管。
    mos管开关电路 pwm驱动
    用于NMOS的驱动电路和用于PMOS的驱动电路
    mos管开关电路 pwm驱动
    mos管开关电路 pwm驱动
    针对NMOS驱动电路做一个简单分析:
    Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh。
    Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱,用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
    R2和R3提供了PWM电压基准,通过改变这个基准,可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
    Q3和Q4用来提供驱动电流,由于导通的时候,Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降,这个压降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。
    R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样,采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
    最后,R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
    这个电路提供了如下的特性:
    1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
    2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
    3,gate电压的峰值限制
    4,输入和输出的电流限制
    5,通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。
    6,PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。
    〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等,20年,工厂直销省20%,上万家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信,由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
     
    联系号码:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相关阅读