MOS管由源极、漏极和栅极三个电极组成。根据栅极和沟道之间的型别不同，MOS管可分为P型MOS管和N型MOS管，PMOS管中的沟道为P型沟道，而NMOS管中的沟道为N型沟道。
工作原理
N沟道MOS管是以N型沟道为主导的场效应晶体管。当电压施加到门极时，形成的电场使得N型沟道区域导电。电子在N沟道中的流动形成电流，从而控制器件的导电能力。
P沟道MOS管则是以P型沟道为主导的场效应晶体管。当电压施加到门极时，形成的电场使得P型沟道区域导电。载流子的流动决定了P沟道MOS管的导电能力。
结构差异
N沟道MOS管的结构中，晶体管的基底为P型硅，而门电极是通过氧化层与基底电隔离的。N型沟道位于P型基底上方，形成N沟道-P型基底的结构。
P沟道MOS管的结构中，晶体管的基底为N型硅，门电极同样通过氧化层与基底电隔离。P型沟道位于N型基底上方，形成P沟道-N型基底的结构。
mos管n沟道和p沟道工作原理图
P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反；简单来说给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。
仅含有一个P--N结的二极管工作过程，如下图所示，我们知道在二极管加上正向电压时（P端接正极，N端接负极），二极管导通，其PN结有电流通过，这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。
同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
对于N沟道场效应管（见图1），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态（图1a），当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极时（见图1b），由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来涌向栅极；
但由于氧化膜的阻挡，是的电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图1b），从而形成电流，使源极和漏极导通，我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭建了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。
图2给出了P沟道的MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似。
1、从外形上看：
p沟道的mos管比同规格的n沟道的要粗一些；
2、从导电性能看：
p沟道和n沟道相比，前者要比后者的电阻低一些（当然这只是一个方面）。
3、从耐温性看：
一般来说，相同规格下同等材质的情况下（如都是硅片），p沟道的耐高温能力要强于n型。
4、从稳定性上比较：
由于工艺的不同导致两者之间的差异较大；
5、从价格上分析：
由于制作工艺不同、原材料的不同以及成本等因素的影响使得两者的价格相差很大。
特性区别：
1、开关特性
N沟道MOS管在开关特性上表现得更好。它们的开启和关闭速度快，具有较低的导通电阻和较高的导通电流。这使得N沟道MOS管广泛应用于高频率和大功率电路等领域。
P沟道MOS管在开关特性上相对较差。它们的开启和关闭速度较慢，导通电阻较大，并且导通电流相对较小。因此，P沟道MOS管常用于低功率应用，如电源管理和集成电路等。
2、控制电压
N沟道MOS管的控制电压为正电压。当门-源电压高于某一阈值电压时，N沟道MOS管开始导通。相对地，当门-源电压低于阈值电压时，N沟道MOS管处于截止状态。
P沟道MOS管的控制电压为负电压。当门-源电压低于某一阈值电压时，P沟道MOS管开始导通。反之，当门-源电压高于阈值电压时，P沟道MOS管处于截止状态。
3、噪声特性
N沟道MOS管相对于P沟道MOS管具有较好的噪声特性。其噪声指标通常较低，这使得N沟道MOS管在灵敏电路和低噪声放大器等应用中表现出色。
P沟道MOS管的噪声特性相对较差，因此在噪声要求较高的电路中不常使用。
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