CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。
CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优，从而获得广泛的应用。
cmos工艺流程
a、隔离氧化层（清洗硅片，对硅片表面进行氧化形成垫氧化层）
注：几nm厚度，作为隔离层保护有源区在去掉氮化物过程中免受化学污染，同时起到缓和硅衬底与SiN层之间应力的作用。
b、沉积SiN（数百nm厚度，采用LPCVD，即低压化学气相沉积法沉积，使用NH3与SiCl2反应，生成SiN）
注：SiN是一种坚固的掩膜材料，用于进行STI工艺时保护有源区，同时其可充当CMP的抛光阻挡材料。
c、涂胶，曝光，显影，刻蚀掉没有光刻胶保护的区域，从而在STI区域形成浅沟槽
d、用CVD法沉积SiO2膜（SiO2用来阻止氧分子往有源区扩散）
使用间隙填充（Gap-Fill）技术来沉积STI的氧化层，需同时进行成膜与刻蚀工艺。
在膜生长同时进行溅射刻蚀→转角处的刻蚀速率比平坦部分高，转角处被刻蚀掉→可以避免在间隙入口处产生夹断，导致间隙填充中的孔洞→完成薄膜沉积
e、使用CMP对SiO2进行抛光（坚固的SiN充当抛光阻挡层，阻止隔离结构的过度抛光）
f、去除氮化物（热磷酸槽去除氮化物）
阱（Well）
① 双阱
n型杂质的深扩散区（多数载流子为电子）；p型杂质的深扩散区（多数载流子为空穴）
② 工艺流程
a、在硅晶圆上用热氧化工艺形成牺牲氧化层（作用是在离子注入形成阱时调整离子注入深度）
b、在P/N阱区域上方涂光刻胶并用光刻工艺进行曝光，显影，并用离子注入工艺注入n/p杂质，灰化去除不需要的光刻胶
c、除去牺牲氧化膜，将n型和p型阱区退火激活，形成双阱
栅极
① 栅极：先进的数字电路需要高速和低压工作，需实现栅极长度的小型化（通过微细化工艺减小栅极长度）
② 自对准工艺：栅极形成是在源漏极形成之前完成，利用自对准工艺形成源漏极，可省略一道光刻工序，从而降低成本
③ 工艺流程
a、在双阱上形成栅氧化层，作为栅极材料的多晶硅层、金属硅化物的多层膜（减压CVD法）
b、用光刻工艺对栅电极进行阻挡涂改
c、对多晶硅膜进行干法刻蚀，用去胶工艺去除不需要的光刻胶
d、用等离子CVD法形成SiO2层，自对准的在栅电极两侧形成LDD膜
[缓和晶体管中微细尺寸的栅电极附近的电场]
源极/漏极
① 源极与漏极
MOS管通过施加到栅极的电压执行开关操作，以打开和关闭源极与漏极之间的电流。
② 工艺流程
a、通过光刻工艺在n阱区域上覆盖光刻胶，并将n型杂质离子注入p型区域
b、使用高电流型的离子注入设备向源漏极注入高浓度的杂质
c、灰化去除不需的光刻胶
d、n阱区域同理
e、退火激活形成n型和p型晶体管的源漏极区域
电极形成（钨塞W-Plug形成）
工艺流程
a、用等离子CVD法形成刻蚀停止层和隔离层（隔离层是金属布线层形成之前的绝缘层，称为PMD[Pre Metal Dielectrics]）
b、用CMP工艺使得隔离层平坦化（受栅电极的影响，上部的形状会产生凸起）
c、用光刻法形成接触孔的图形（微细尺寸的源漏极和接触必须连接上，且要采取最小的布线间距）
d、用光刻胶作为掩膜来刻蚀隔离层，穿透形成接触孔
e、灰化去除不需要的光刻胶
f、在接触孔内形成TiN/Ti等黏附层和覆盖W层
注：黏附层将隔离层和W膜更好地黏接到一起，用溅射工艺生成；覆盖式W膜用CVD法形成
g、用CMP工艺去除PMD上多余的W层和黏附层，实现W塞
后端工艺
1、Why使用多层布线
在先进的逻辑IC中，把已经验证完成的IP进行整合，进而完成数字IC的设计。新的电路的验证需要花费大量的时间，通常是把各种各样的电路模块通过布线连接到一起来实现该LSI。
2、多层布线示意图
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