场效应管mos管参数字母含义
Cds漏-源电容
Cdu-漏-衬底电容
Cgd-栅-源电容
Cgs-漏-源电容
Ciss-栅短路共源输入电容
Coss-栅短路共源输出电容
Crss-栅短路共源反向传输电容
D-占空比(占空系数,外电路参数)
di/dt-电流上升率(外电路参数)
dv/dt-电压上升率(外电路参数)
ID-漏极电流(直流)
IDM-漏极脉冲电流
ID(on)-通态漏极电流
IDQ-静态漏极电流(射频功率管)
IDS-漏源电流
IDSM-最大漏源电流
IDSS-栅-源短路时,漏极电流
IDS(sat)-沟道饱和电流(漏源饱和电流)
IG-栅极电流(直流)
IGF-正向栅电流
IGR-反向栅电流
IGDO-源极开路时,截止栅电流
IGSO-漏极开路时,截止栅电流
IGM-栅极脉冲电流
IGP-栅极峰值电流
IF-二极管正向电流
IGSS-漏极短路时截止栅电流
IDSS1-对管第一管漏源饱和电流
IDSS2-对管第二管漏源饱和电流
Iu-衬底电流
Ipr-电流脉冲峰值(外电路参数)
gfs-正向跨导
Gp-功率增益
Gps-共源极中和高频功率增益
GpG-共栅极中和高频功率增益
GPD-共漏极中和高频功率增益
ggd-栅漏电导
gds-漏源电导
K-失调电压温度系数
Ku-传输系数
L-负载电感(外电路参数)
LD-漏极电感
Ls-源极电感
rDS-漏源电阻
rDS(on)-漏源通态电阻
rDS(of)-漏源断态电阻
rGD-栅漏电阻
rGS-栅源电阻
Rg-栅极外接电阻(外电路参数)
RL-负载电阻(外电路参数)
R(th)jc-结壳热阻
R(th)ja结环热阻
PD-漏极耗散功率
PDM-漏极最大允许耗散功率
PIN-输入功率
POUT-输出功率
PPK-脉冲功率峰值(外电路参数)
to(on)-开通延迟时间
td(off)-关断延迟时间
ti-上升时间
ton-开通时间
toff-关断时间
tf-下降时间
trr-反向恢复时间
Tj-结温
Tjm-最大允许结温
Ta-环境温度
Tc-管壳温度
Tstg-贮成温度
VDS-漏源电压(直流)
VGS-栅源电压(直流)
VGSF-正向栅源电压(直流)
VGSR-反向栅源电压(直流)
VDD-漏极(直流)电源电压(外电路参数)
VGG-栅极(直流)电源电压(外电路参数)
Vss-源极(直流)电源电压(外电路参数)
VGS(th)-开启电压或阀电压
V( BR)DSS-漏源击穿电压
V(BR)GSS-漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)漏源通态电压
VDS(sat)-漏源饱和电压
VGD-栅漏电压(直流)
Vsu-源衬底电压(直流)
VDu-漏衬底电压(直流)
VGu-栅衬底电压(直流)
Zo-驱动源内阻
n-漏极效率(射频功率管)
Vn-噪声电压
alD-漏极电流温度系数
ards-漏源电阻温度系数
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