场效应管是利用电场控制的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点。符号如图所示，场效应管有三个极，分别是源极S，栅极G，漏极D。场效应管的文字符号是“ VT ”。
场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。
结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外，还有增强型与耗尽型之分。
绝缘栅型场效应管电路符号
绝缘栅型场效应管：种利用半导体表面的电场效应，感应电荷多少改变导电沟道来控制漏极电流的电子元器件；栅极与半导体间绝缘； N沟道在一块浓度较低P型硅上扩散两个浓度较高N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
增强型场效应管电路图符号
结型场效应管电路图符号
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