MOS管驱动电压越高越好吗?
MOS管驱动电压是不是越高越好，分两方面分析，首先驱动电压低，意味着我们在开关MOS时产生的开关损耗比较小，特别是在一些高频应用中。
但是另一方面，在一些使用MOS进行大电流开关应用的场合中，由于电流比较大，此时MOS由于Rds导通内阻的存在，会导致MOS发热比较严重，为了减小MOS管的发热，我们一般通过提高Gate驱动电压来降低MOS管的Rds导通内阻，从而降低发热。
我们都知道MOS管由于GS,GD寄生电容的存在导致MOS管存在一个平台电压，所以驱动电压至少应大于平台电压，使得MOS管工作在饱和区。
MOS管驱动电压最大是多少？
过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。
1)只有在过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。
2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。
3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。
即
Vod1=Vgs-Vth；
Vod2=Vds-Vth；
如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。
MOS管驱动电压 阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，du零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。
PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。
当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
MOS管驱动电压
正常驱动10-15，不要超过20V。
开启的阈值电压4-5V。
关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。
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