全桥电路设计分析
1.MOS/IGBT的栅极引脚部分的电路:
简单来说就是驱动全桥电路就早驱动信号驱动MOS/IGBT的栅极，但是驱动信号直接送到机极上是不可以的，因为MOS/IGBT栅极结构原因，存在电容，如果驱动信号不辅助栅极部分的硬件电路会使MOS/IGBT一直导通，造成全桥电路中的四个管全部导通，结果可想而知。
解决方案比如下图所示:
2.MOS/IGBT的保护电路:
MOS/IGBT管具有较脆弱的承受短时过载能力，所以在应用时必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。常见的保护电路有很多种，比如RC保护电路或者RCD保护电路。
本次设计采用的是RCD 缓冲吸收电路和MOS管构成全桥逆变电路，将直流高压电转换为交流激励信号。
3.全桥电路的器件选型问题:
全桥电路中每一个器件的选型都尤为重要，可能哪一个器件的承受值不满足可能会造成整个全桥电路瘫痪。比如MOS管的选型，在计算最大工作频率时要关注MOS管的上升和下降时间，以及保护电路的器件特性等。
本次设计的全桥逆变电路(IRFP460MOS管、水泥电阻、聚酯膜电容以及快恢复二极管等)，其中最高工作频率以及耐压耐流主要看所选择的器件(IGBT工作频率会低一些，但是耐压耐流值高)。
下图是全桥逆变电路的输出波形:
下图是本次设计中采样电阻采到的波形(可以看出峰峰值电流达到100A)。
无刷直流电机三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。
在电机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道)，Q4~Q6为IRFR1205(N沟道)。
该场效应管内藏续流二极管，为场效应管关断时提供电流通路，以避免管子的反向击穿，其典型特性参数见表1.T1~T3采用PDTC143ET 为场效应管提供驱动信号。
由图可知，A1~A3 提供三相全桥上桥臂栅极驱动信号，并与ATMEGA16单片机的硬件PWM驱动信号相接，通过改变PWM信号的占空比来实现电机转速控制;B1~B3提供下桥臂栅极驱动信号，由单片机的I/O口直接提供，具有导通与截止两种状态。
无刷直流电机驱动控制采用三相六状态控制策略，功率管具有六种触发状态，每次只有两个管子导通，每60°电角度换向一次，若某一时刻AB相导通时，C相截至，无电流输出。
单片机根据检测到的电机转子位置，利用MOSFET的开关特性，实现电机的通电控制，例如，当Q1、Q5打开时，AB相导通，此时电流流向为电源正极→Q1→绕组A→绕组B→Q5→电源负极。
类似的，当MOSFET打开顺序分别为Q1Q5，Q1Q6，Q2Q6，Q2Q4，Q3Q4，Q3Q5时，只要在合适的时机进行准确换向，就可实现无刷直流电机的连续运转。
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