高边驱动
高边驱动：开关位于电源和负载之间。
高边驱动是指通过直接在用电器或者驱动装置前通过在电源线闭合开关来实现驱动装置的使能。高边驱动形象点说，像在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动就是控制这个开关的开关。
高边驱动简单理解：负载的一端默认与电路的负级即地保持连接，负载的另一端与开关连接，当开关导通时，负载的另一端与电源连接，负载开始工作，当开关与关断时，负载的另一端与电源断开，负载停止工作。高边驱动（High Side Drivers），简称为HSD。
高边驱动电路
P沟道增强型MOS晶体管和N沟道增强型MOS晶体管都可以用作高边驱动，两者的结构和工作原理都有所不同。
PMOS管作高边驱动时，当VGS < VTH，NMOS管打开导通，此时Vo输出为高，可以驱动外部负载；当VGS > VTH，NMOS管关闭，此时Vo输出为低，输出端关闭。
当PMOS由打开到关闭的过程中，感性负载会一直放电，从而在下降过程中出现箝位。
图：PMOS作高边驱动
NMOS管作高边驱动时，当VGS < VTH，NMOS管关闭，此时Vo输出为低，输出端关闭；当VGS > VTH，NMOS管打开导通，此时Vo输出为高，可以驱动外部负载，而NMOS导通时，VS近似为UB，故而VG须大于UB（13V），这便需要一个Pump将输入端的电压提高，如图所示。
图：NMOS管作高边驱动
测试高边驱动时步骤基本和测试低边驱动相同，区别的是根据不同类型MOS管，其控制导通和关断的顺序不致。
PMOS管制作工艺复杂，成本较高；而NMOS管作高边驱动，为了有较高输入电压，还需额外增加一个Pump。
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