MOS管的阈值电压
具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为阈值电压。
阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS(th)）是MOSFET的重要参数之一，因为它决定着器件的性能和应用范团。阈值电压Vth定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅极偏压。在描述不同的器件时具有不同的参数。
VGS(th)开启电压（阈值电压），当外加栅极控制电压超过VGS(th)时，漏区和源区形成了沟道。测试时，通常一定VDS条件下，漏极电压ID等于某一值时的栅极电压称为开启电压。
mos管的阈值电压公式
MOSFET的阈值电压：
对于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其阈值电压可以通过以下公式计算：
Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
其中，Vth为阈值电压，Vt0为零偏电压，γ为衰减系数，φF为内建电势，Vsb为源极与基极之间的电压。
BJT的阈值电压： 对于双极型晶体管（BJT），其阈值电压可以通过以下公式计算：
Vth = Vbe_on - (KT/q) * ln(Ic/Is)
其中，Vth为阈值电压，Vbe_on为基极-发射极的正向电压，KT为玻尔兹曼常数乘以温度，q为电子电荷，Ic为集电极电流，Is为发射极饱和电流。
需要注意的是，不同类型的半导体器件和不同的制造工艺可能会有不同的阈值电压计算公式。在实际应用中，需要参考器件的数据手册和相关文献，以获取准确的阈值电压计算方法。
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