FET的全称是场效应晶体管（Field Effect Transistor），通过在半导体上施加一个电场来改变半导体的导电特性。在不同的电场下，半导体会呈现出不同的导电特性，因此称为“场效应”管。
BJT基本公式：IC=βIB，工作机制是通过基级电流IB控制集电极电流IC。
BJT中的B是指“双极性（bipolar）”，意思是其内部同时存在电子和空穴这两种极性的导电载流子；而FET却是“单极性（unipolar）”元件，其导电仅靠一种载流子：N沟道场效应管中仅有电子导电，P沟道场效应管中仅有空穴导电。
BJT和FET的区别：
电极区别：
BJT：基极（B），发射极（E），集电极（C）
FET：栅极（G），源极（S），漏极（D）
控制类型：
BJT：电流控制--通过控制基极电流来控制集电极电流的变化
FET：电压控制--通过控制栅极电压来控制漏极电流变化
阻抗差别：
BJT：输入阻抗较低（几百欧姆-几千欧姆），基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，必须阻抗匹配才能工作
FET：输入阻抗极高（兆欧以上），MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，输出电阻同样也很高
载流子：
BJT：两种载流子--少子和多子，属于双极性器件 Bipolar Transistor.
FET：一种载流子--多子，属于单极性器件，要么是空穴要么是自由电子导电。
稳定性（噪声）：
BJT：噪声更大--因为少子参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差
FET：噪声更小--因为只有多子导电，热稳定性更好，噪声小
分类：
BJT：PNP和NPN
FET：
按沟道：N型和P型
按原理：JFET和MOSFET（增强型、耗尽型）
特性曲线：
BJT：截止区、放大区、饱和区、击穿区——转移特性按指数规律变化
FET：截至区、放大区、可变电阻区、击穿区——转移特性按平方规律变化（非线性失真更大）
放大能力：
BJT：参数——电流放大倍数β
FET：参数——跨导gm
两者相比BJT电压放大倍数更大
电容差别：
BJT：极间电容较大，耦合电容较大
FET：极间电容较小，耦合电容较小（输入电阻较高）
在只允许从信号源取较少（高输出阻抗）电流的情况下，选用FET，达到阻抗匹配目的，适用于低噪高输入电阻的前置电路；在信号电压较低，允许取用电流的情况下，选用BJT。作为开关管，FET的效率较高，多用在大电流、高速开关电源上；在环境温度变化较大的场合应使用FET。
FET的各种性能指标都要优于BJT，比如：输入阻抗高、功耗低、热稳定性好等等。尤其是高输入阻抗这点，一般FET的的输入阻抗可以达到1兆欧到几百兆欧，远远超过BJT的典型输入阻抗，这个在设计放大电路时非常有用。早年由于FET价格稍贵，因此在分立元件电路中，BJT还用得比较多。但现在FET的价格也已经很低了，因此通常在设计应用电路时，能用FET就尽量用FET。只有在一些需要极端压榨成本的场合、或者需要大电流放大时、还有些超高频电路中，才会用到BJT。
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