SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。
但是，由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。将功率 MOSFET 并联时，设计人员必须更密切地注意如何最大限度降低这些影响，因为器件之间的电流分配不均会影响性能。
例如，在开关瞬变过程中，在并联中增加一个器件会使 di/dt 倍增，从而可能导致更大的电压过冲。此外，任何寄生电感都可能产生与反馈机制耦合的谐振，从而只会使电流不平衡的情况变得更糟。在这种情况下，PCB 设计人员必须特别注意要降低寄生电感。
大功率多管并联实例
SiC MOSFET第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。
2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小，以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。
3、要求驱动器具有双路输出端口。
4、支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）
5、支持高安全隔离电压
6、3-5V的负压关断，开启要18V-20V。碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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