MSB10D整流桥,MSB10D整流桥参数,MSB10D规格书封装
MSB10D整流桥1A 200V,MSB10D封装为UMSB,MSB10D整流桥参数,MSB10D规格书封装脚位,MSB10D作用好坏代替
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MSB10D整流桥参数规格书：点击下载
MSB10D整流桥参数具体如下：
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重复峰值反向电压：200V
Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻断电压：200V
Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流电流：1A
Maximum instantaneous forward voltage drop per birdge element at 1.0A VF 1.0A时最大瞬间正向压降：1.1V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向电流,每个二极管的额定直流阻断电压：5uA
Operating temperature range TJ 工作温度范围：-55 to +150°C
storage temperature range TSTG 储存温度范围：-55 to +150°C
MSB10D整流桥堆封装，UMSB封装尺寸：
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