本文分析基于MOS管的防反接电路，如NMOS管串入GND管脚的防反接电路。相比于以往的防反接电路，MOS管类型的防反接保护电路，具有低功耗和压降小的优点。
原理图
根据上图可以看出，MOS管类型的防反接保护电路略微复杂。
原理分析
（1）正常工作时
NMOS管的Gate端经R2电阻接VBAT，Source端接芯片GND，Drain端接电源GND。所以，正确上电时，NMOS管的体二极管正向导通，Source端电压为0.2V左右，NMOS管导通。
（2）电源反接时
NMOS管不再导通，即保护了HSD。
器件分析
（1）Zener二极管
当供电电压大于VGS时，Zener二极管可以很好的保护NMOS管，所以选择的Zener二极管阈值应小于VGS；
另外，当Zener二极管的阈值过小时，供电电压大于Zener二极管的阈值，则流经R2和Zener二极管的电流会很大，NMOS管上的电压就变小，存在不能打开NMOS管的风险。因此，选取Zener二极管时，需要注意这两点。
（2）电阻R2
正常工作时，电阻R2的作用有两个：
(a)当供电电压大于Zener二极管的阈值时，限制通过Zener二极管的电流；
(b)R2和NMOS管的Gate端电容组合会影响NMOS管的充放电速度，也就是会影响NMOS管的开关速度。因此，一般取15K。
（3）电容C（可选）
对于脉冲标准ISO7637-2-2004(E)脉冲1测试IV来说，如果需要兼容该标准，则不用放置电容C；否则，应在Zener二极管两端并联电容C，且R2C的时间应大于2ms（ISO7637-2-2004(E)脉冲1测试IV）。
需要注意的地方：
（1）NMOS管的保护电路同其他GND端保护电路相同，即电源反接时，负载仍可以工作的（经过HSD的功率MOS管体二极管），因此，需要注意此种情况下芯片发热的问题。
（2）NMOS管上的压降，其压降为RDS(ON)xISON。因此，为了进一步减小这个压降，需要选择导通电阻小的NMOS管。
优缺点：
优点：低功耗，压降小。
缺点：成本高，电路略复杂。
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