MOSFET电路模型的构建
MOSFET在不同应用场合使用的电路模型是不同的，要搞懂MOSFET作为数字开关和模拟放大中的左右，还是得从MOSFET的特性曲线入手。
对于MOSFET，电流只有一种情况，就是流经D/S之间的电路，记为IDS，电压有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲线有两种情况：VGS-IDS和VDS-IDS。
前者称为转移特性曲线，后者称为输出特性曲线。
输出特性曲线
输出特性曲线
输出特性曲线
这里重点关注输出特性曲线，我们将前面一段上升区定义为电阻区，或者线性区，后面一段平行直线定义为电流源区或者饱和区。
如果我们把问题简化，直接用两条直线对器件进行建模：
前一段，这个MOSFET就等效为一个电阻，后一段等效为一个压控的电流源，压控的电压为Ugs，压控能力是一个平方关系，具体可参考半导体器件相关书籍。如果开启的电压Ugs没有达到MOSFET的阈值电压Ut的话，这个时候MOSFET相当于一个开路。
总结：
在实际的应用过程中，MOSFET电阻区和截止区主要应用在CPU等逻辑芯片中，而恒电流区应用在基于MOSFET的信号放大电路中。
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