本文提出了一种 SiC MOSFET 的漏源极之间充放电型 RC吸收电路参数的计算方法。首先根据波形的振荡频率来计算电路中总的寄生电容值 ( C)和寄生电感值 ( L) ，然后再计算出 RC吸收电路的电阻值 ( RSN) 和电容值 ( CSN) ，RC吸收电路原理如图 4 所示。
RSN和 CSN的具体计算过程如下。
①首先根据SiC MOSFET 的 DS 引脚之间的电压 ( UDS) 波形振荡周期计算出谐振频率 ( f0) ，如图 5 所示。
②在图 4 中 SiC MOSFET 的漏源极之间接一个外接电容( Ctest) ，由此再测算出一个谐振频率 ( f1) 。
③计算出 C 和 L，即
实验验证
本文基于以上设计搭建一台 SiC MOSFET 双并联交错升压 DC-DC 变流器的样机，主电路如图 1所示，样机如图 6 所示。
样机基于 TMS320F28335 DSP 芯片设计的控制系统; 主电路由直流支撑电容、储能电感和 SiC MOSFET 等构成，样机输入电压为 DC 72 V，母线电压为 DC 570 V，额定输出功率为 3 kW，母线电压支撑电容为 560 μF，储能电感为 75 μH，开关频率为 80 kHz。
采用上述实验平台对 RC吸收电路计算方法的有效性进行验证，增加 RC吸收电路前后 SiC MOSFET 的DS 引脚之间电压和母线电压 ( UDC) 的实验波形如图 7 所示。
图 7 表明，增加 RC吸收电路后，电压过冲由1 080 V下降至 740 V，降低了约31%; 没有 RC吸收电路时 SiC MOSFET 的 UDS单个波形振荡周期为 51 ns，经过10个振荡周期( 510 ns) 后波形振荡基本消失，增加 RC吸收电路后无明显振荡周期，且213 ns后波形振荡基本消失。
实验验证了增加 RC吸收电路后不仅有效降低了电压过冲和振荡，而且减小了 SiC MOSFET 开关过程中母线电压的波动。
本文对基于 ACPL－ 355JC 的 SiC MOSFET 驱动电路的设计进行了详细分析，提出了一种 RC吸收电路参数的计算方法，并通过实验验证了该RC吸收电路的有效性，也间接验证了该驱动电路的可行性。
所设计的驱动保护电路和 RC吸收电路已经应用于铁路上的应急通风逆变器，而且通过了实际运行考核。后续将在降低吸收电路功率损耗和提高驱动保护电路稳定性等方面进行更加深入的研究。
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