MOSFET驱动器栅极驱动典型配置
使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、驱动电压快的上升 / 下降时间以及电路板上长走线引起的电感，需要考虑额外的钳位电路。图 3 至图 6 显示了经常使用的栅极驱动电路典型配置。
最理想的 MOSFET 驱动器电路如图 3 所示。这种配置常用于升压（ boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑结构中。
采用正确的布板技巧和选择合适的偏置电压旁路电容，可以使 MOSFET 栅极电压得到很好的上升和下降时间。除了在偏置电压增加本地旁路电容外，MOSFET 驱动器的良好铺地也很重要。
在许多栅极驱动应用中，也可能需要限制栅极驱动的峰值，以降低栅极电压的上升。通常这可以降低由于MOSFET 漏极电压的快速上升斜率导致的EMI 噪声。
通过改换具有更低峰值电流的 MOSFET 驱动器或增加一个串联栅极驱动电阻，如图 4 所示，就可以减缓MOSFET 栅极电压的上升和下降时间。
在 MOSFET 驱动器并没有放置在它所驱动的 MOSFET附近的应用中，驱动器的输出与 MOSFET 的栅极之间存在电感，这会导致MOSFET栅极电压振荡而超过VDD和低于地 （GND）。
如果峰值电压超过 MOSFET 标称的最大栅极电压， MOSFET 会损坏，进而导致失效。可以在 MOSFET 栅极和源极间增加一个齐纳二极管对电压进行钳位，如图 5 所示。
可能的话，应使 MOSFE驱动器和 MOSFET 的走线长度尽可能短，以此限制电感引起的振荡效应。驱动器输出和 MOSFET 栅极间的电感也会影响 MOSFET 驱动器在瞬态条件下将MOSFET 栅极维持在低电平的能力。
图 6 显示了使用栅极驱动变压器的两种不同栅极驱动配置。栅极驱动变压器可以用在高压或低压的应用中，从而在控制电路和功率 MOSFET 之间提供隔离，而这种隔离是为了满足安全要求，或者是提供高端浮空栅极驱动。
图 6 中的电路 A 和电路 B 显示了单开关正激应用中使用的栅极驱动变压器。与 MOSFET 驱动器输出和栅极驱动变压器串联的电阻和电容用于平衡栅极驱动变压器的电压 - 时间。
由于栅极驱动变压器的电压 - 时间必须平衡（对任何变压器都一样） ，在开关周期的截止时间内，功率 MOSFET 的栅极被施加了一个负的栅源电压。很多时候这会引起导通时开关时间延迟。
如果不希望发生这种情况，可以使用 B 中的电路配置。这个电路使用负的栅极驱动电压来导通另外一个小信号 FET，进而短接主功率 MOSFET 的栅源端子，使其完全截止，并使栅极电压保持在 0V。A 和 B 中显示的驱动配置也可以用于双开关的正激拓扑结构。
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