导电沟道的形成
NMOS管内部结构图如下，导电沟道未形成前，漏极和源极之间有一反向PN结，在Ugs=0时，漏极和源极之间无电流（PN结击穿情况等不考虑）。
NMOS管内部结构图
Ugs > 0时，金属板的负电荷被 电源 正极吸引，金属板剩下正电荷。由于同性相斥，靠近绝缘层一侧的空穴被排斥，剩下不多的负电荷，形成了耗尽层。
当Ugs继续增大，衬底的自由电子被吸引到耗尽层和绝缘层之间，形成反型层，这个反型层就构成了漏极---源极之间的导电沟道。沟道刚形成的电压叫做Ugs(th)，Ugs越大，沟道越厚，导电沟道电阻越小。
沟道越厚，导电沟道电阻越小
电阻对电荷的移动具有阻碍作用。导电沟道越厚，代表流经的电荷越多，阻碍的作用越小，由此Ugs越大，导电沟道越小。
补充
前面说到负电荷的移动是被正极的吸引，比如在电容充电时，极板一端的电子被正极吸引，负极放出电子到极板的另一端。根据这个对下面这个电路有了新的理解。
上面R12的作用是分压、限流。对于限流来说，若没有R12，U6导通后栅极相当于接地，有大量的电子移动到栅极，会损坏U6。若加了R12阻碍部分电子的移动。加R12后，正极对于源极和栅极中的电子吸引程度是不同的。
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