SiC MOSFET由于开关速度快，在大电流大电压工作条件下，开关瞬态会产生非常高的电流变化率di/dt和电压变化率dv/dt，因此其对功率回路的寄生参数非常敏感，容易产生严重的高频振荡。研究发现，SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。
从上述分析可知，无论是电流还是电压，开关瞬态的高频振荡都与寄生参数密切相关，这就需要在实际应用场景中正确选择驱动栅极电阻和外加电容来减小电压电流变化率，或者添加适当的RC阻尼电路等，减小高频振荡的影响。
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280