HTRB 高温反偏测试
高温反偏测试主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流，考验对象是MOSFET边缘结构和钝化层的弱点或退化效应。
测试标准：JESD22-108
测试条件为：Tj = max, Vds=80% of Vdsmax, Vgs=0
测试原理图如下：
在测试中，需持续监测MOSFET源极-漏极的漏电流，如果漏电流超过 电源 设定上限，则可以判定为失效。
HTGB 高温门极反偏测试
高温门极反偏测试主要用于验证栅极漏电流的稳定性，考验对象是MOSFET栅极氧化层。
测试标准： JESD22-108
测试条件为：Tj = max, Vgs=100% of Vgsmax, Vds=0
测试原理图如下：
在测试中，需持续监测门极的漏电流和门极电压，若这两项参数超出指定规格，则MOSFET将不能通过此项测试。
H3TRB 高温高湿反偏测试
高温高湿反偏测试，也就是大家熟悉的双85测试，主要用于测试温湿度对功率器件长期特性的影响。
测试标准：JESD22A-101
测试条件为：1000个小时，环境温度85℃，相对湿度85%，VCE=100V
测试原理图如下：
在这一项测试中，施加的电场主要用于半导体表面离子积累和极性分子的驱动力，但是为了避免测试过程中漏电流产生的温升降低相对湿度，所以对于MOSFET器件，一般选用100V做为测试电压，这样能将芯片的自加热温度控制在2℃以内。
应用经验表明，许多现场失效与湿度有着不可分割的关系，因此引入了高压高温高湿反偏测试的讨论，即HV-H3TRB测试。随着MOSFET芯片的技术更新以及部分高可靠性应用的要求，测试电压可调整为阻断电压的100%，保证MOSFET在高湿度应用情况下具有更高的可靠性。
HTSL 高温存储测试/LTSL 低温存储测试
高温存储测试和低温存储测试主要用于验证MSFET封装结构和材料的完整性。
测试标准：JESD22A-103
测试条件为：高温 1000个小时，环境温度：125℃；低温 1000个小时，环境温度：-40℃
测试原理图如下：
测试前后需对比MOSFET静态性能参数，并检查封装外观是否发生异常。
IOL 间歇运行寿命测试
对比温度循环，在间歇运行寿命测试中，测试样品通过流过半导体的电流进行主动加热至最高目标温度，然后关断电流，通过风冷将样品主动冷却到最低温度。循环时间大约为2分钟。此项测试的目的是确定MOSFET在特定条件下的开关循环次数是否符合规定。
测试标准：MIL-STD-750 : 1037
测试条件为：Ta=25°C, ΔTj>105°C, on/off=2min
测试原理图如下：
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