以某型号器件为例，通过分析其曲线，来分析MOS管的工作特性。
一、转移特性曲线(VGS-ID曲线)
说明的是栅极电压VGS对ID的控制作用。
从上图曲线可得到：
1、测试条件：VDS=20V；
2、VGS的开启电压VGS(th)，约5V，且随着温度的升高而降低；
3、VGS需要达到10V以上，才能完全导通，达到其最大标称ID；
4、VGS越大，ID才能越大，温度越高，ID越小；
二、输出特性曲线(VDS-ID曲线)
上图可被分为四部分：
1、夹断区(截止区)
此区域内，VGS未达到VGS(th)，MOS管不导通，即ID基本为零；
2、可变电阻区
此区域内，ID-VDS基本维持线性比例关系，斜率即为MOSFET的导通电子Rds(on)。
3、饱和区
此区域内，ID不再随着VDS的增大而增大。说明ID已经饱和了。
4、击穿区
此区域内，因VDS过大，MOSFET被击穿损坏。
当MOSFET工作在开关状态时，随着VGS的通/断，MOSFET是在截止区和可变电阻区来回切换的，在切换过程中可能会经过饱和区。
当MOSFET工作于饱和区时，可以用来通过控制VGS的电压来控制电流ID，将MOSFET用于实现上电软起动电路。
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