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  • 电路设计,MOS管电容近似计算方法介绍
    • 发布时间:2023-05-30 16:28:32
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    电路设计,MOS管电容近似计算方法介绍
    MOS管
    Cox的理论计算方式
    在电路设计零极点计算中,我们经常需要对MOS管的栅电容进行理论估算,栅电容Cgg=Cox*W*L,W和L我们可以直接从器件参数得到,接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值。
    Cox计算方式
    概念:
    (1)介电常数:
    它是表示绝缘能力特性的一个系数,符号为ε,单位为F/m(法/米)
    (2)相对介电常数:
    某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值,称为该电介质的相对介电常数,符号为εr,即εr=ε/ε0,εr是无量纲的纯数;
    其中真空介电常数ε0=8.854E-12F/m(记住),SIO2的相对介电常数为εr=3.9(记住),所以SIO2的介电常数ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m(记住)。
    (3)Cox计算
    Cox是介质的介电常数ε与tox的比值,tox可以在工艺model文件(.scs文件)中找到,以HHG90工艺为例:
    在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m,PCH5的toxp=1.14E-08m,SIO2的介电常数ε=3.9×8.854E-12F/m,
    Coxn=ε/toxn=3fF/um2;
    Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
    可见PCH5的Cox比NCH5略大,数值几乎一致,可按照3fF/um2进行电容计算
    比如:W/L=100u:0.65u,m=200的PCH5,栅电容近似计算为:39pF
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