超级结 MOSFET (SJ-MOS)英文名称叫Super Junction MOSFET。为了解决额定电压提高而导通电阻增加的问题，超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。
超级结MOSFET超越了平面制造工艺（基于单个p-n结），具有多个垂直p-n结的结构。最终实现了在多条平行路径上“共享”导通电阻，降低了总导通电阻。
与其他晶体管拓扑结构相比，它具有明显的优势，特别是在按面积计算的导通电阻方面。这相应地降低了损耗，意味着它不仅价格更加低廉，还可在无需散热的情况下，用于切换更高电压和电流的应用。
超结功率MOSFET输出电容迟滞效应
高频高功率密度开关电源为了提高效率，通常使用零电压ZVS软开关技术。功率MOSFET开通前，COSS电压VDS为直流母线电压，COSS电容储存能量，通过外加电感L和COSS串联或并联，形成LC谐振电路，COSS放电，VDS谐振下降；当VDS谐振下降到0时，功率MOSFET内部反并联寄生二极管自然导通续流，VDS电压几乎为0，此时，开通功率MOSFET，就可以实现零电压ZVS开通。
功率MOSFET关断时，直流母线电压对COSS电容充电，VDS电压从0开始上升；由于超结功率COSS电容非线性特性，在电压为0时COSS足够大，VDS电压上升速度非常慢，dV/dT上升斜率非常小。
功率MOSFET关断后，ID电流从最大值下降到0过程中，VDS和ID电流的交叠区面积很小，关断损耗非常小，自然形成零电压ZVS关断。
理论上，ZVS软开关过程中，COSS电容充放电，基本上没有损耗。实际应用中却发现，功率MOSFET在ZVS软开关过程中，COSS电容充放电过程存在一定的额外损耗，无法恢复存储在输出电容COSS中的全部能量，这个现象称为超结功率MOSFET输出电容的迟滞（滞洄）效应，其最先由美国Enphase公司工程师发现：
Coss Related Energy Loss in Power MOSFETs Used in Zero Voltage Switched Applications, J. B. Fedison, M. Fornage, M. J. Harrison, D. R. Zimmanck, Enphase Energy Inc., APEC 2014.
文献中的波形
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