超结功率MOSFET输出电容迟滞效应产生原因
超结功率MOSFET技术目前采取多层外延和深沟槽工艺，相对于平面结构，P阱下移形成P柱结构，如图6、图7所示。通常情况，超结功率MOSFET的COSS在充电过程中，超结N柱、P柱最初的移动载流子，会在放电过程中完全消耗尽。
但是，如果在COSS充电阶段，一些移动载流子被隔离滞留,也就是形成滞留电荷(Stranded Charges QSTR)，耗尽层扩展不一致，沿着N柱、P柱形成没有耗尽的微小区域，导致充电和放电过程不一致，最终形成迟滞效应，也就是COSS充放电过程中一些能量在内部被消耗。超结功率MOSFET输出电容迟滞效应，和滞留电荷直接相关。
从图5可以发现，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应，与其漏极源极所加电压VDS直接相关，这种效应大多发生在低压阶段，这也表明，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应和超结柱状结构在低于100V发生的三维耗尽有关。
此外，COSS的迟滞效应也和超结功率MOSFET结构相关，内部晶胞单元尺寸越小，迟滞效应越明显。相关文献研究表明：深沟槽结构没有滞留电荷QSTR效应，多层外延结构具有滞留电荷QSTR效应，如图8、图9所示。
图8和图9中，列出了这种结构的仿真电势线分布图Potential line distribution。多层外延结构在动态耗尽过程中，滞留电荷QSTR，出现在N柱和P柱的底部和顶部。
Jaume Roig and Filip Bauwens, Origin of Anomalous COSS Hysteresis in Resonant Converters With Superjunction FETs
这表明：多层外延结构MEMI(Multi implant multi epitaxy)的滞留电荷QSTR效应，比深沟槽结构TFET(Trench filling epitaxial growth)要严重。
超结功率MOSFET输出电容迟滞效应的功耗测量
为了得到超结功率MOSFET输出电容迟滞效应所产生的功耗，可以用等效法测量。
超结功率MOSFET输出电容迟滞回线的测量电路和陶瓷电容的测量电路类似，根据电路，在一定输入电压、工作频率fs下稳定工作，测量超结功率MOSFET壳顶的温升ΔT。
然后，在超结功率MOSFET内部寄生二极管通过一定电流IF，使超结功率MOSFET壳顶的温升同样达到ΔT，测量寄生二极管压降VF，则可以得到相应条件下，
输出电容迟滞效应所产生的功耗：
输出电容迟滞效应所产生的能量：
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