分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。
下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。
下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。
可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。
MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。
MOS管反型层中的电子和空穴迁移率随着温度升高而下降。这是由于温度升高，载流子在沟道中受到的散射几率增加的缘故。
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