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  • MOS管RDS(on)与VGS(th)温度特性图文解析
    • 发布时间:2023-05-26 17:09:58
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    MOS管RDS(on)与VGS(th)温度特性图文解析
    分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet,看下导通电阻的正温度特性,阈值电压的负温度特性是什么样的。
    下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 温度
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 温度
    下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 温度
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 温度
    可以看出,不管是NMOS还是PMOS,导通电阻RDS(on)都随着温度的升高而增大,阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。
    MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关,载流子迁移率越慢,导通电阻越大。
    MOS管反型层中的电子和空穴迁移率随着温度升高而下降。这是由于温度升高,载流子在沟道中受到的散射几率增加的缘故。
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