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  • MOSFET搭建电源缓启动电路解析
    • 发布时间:2023-05-08 15:15:35
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    MOSFET搭建电源缓启动电路解析
    电源在进行插拔时,会有如下两种情况出现:
    1、电源连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳;
    2、由于系统大容量储能电容的充电效应,系统中会出现很大的冲击电流
    上述两种情况可能会引起连接器打火,引发火灾;也可能会引起系统电源跌落,导致误码或系统重启。
    MOS管
    MOS管有导通阻抗Rds低和驱动简单的特点,利用其米勒效应,在电路设计中可以设计电源缓启动电路(通常情况下,在正电源中用PMOS,在负电源中使用NMOS),可以实现防抖动延时上电、控制输入电流的上升斜率和幅值等功能,提高电源稳定性。
    电源缓启动电路分析
    下图是用 NMOS 搭建的一个 -48V 电源缓启动电路:
    MOS管 电源缓启动电路
    1)D1是嵌位二极管,防止输入电压过大损坏后级电路;
    2)R2和C1的作用是实现防抖动延时功能;
    3)R1的作用是给C1提供一个快速放电通道,要求R1的分压值大于D3的稳压值;
    4)R3和C2用来控制上电电流的上升斜率;
    5)R4和R5的作用是防止MOS管自激振荡,要求R4、R5<<R3;
    6)嵌位二极管D3的作用是保护MOS管Q1的栅-源极不被高压击穿;
    D2的作用是在MOS管导通后对R2、C1构成的防抖动延时电路和R3、C2构成的上电斜率控制电路进行隔离,防止MOS栅极充电过程受C1的影响。
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