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  • 汽车电子核心元件,MOSFET技术介绍
    • 发布时间:2023-05-05 18:10:28
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    汽车电子核心元件,MOSFET技术介绍
    新型应用中有4大要素在推动汽车电子功率器件的演进:足够的关断电压等级 (Bvdss)、 系统功率要求、系统智能性/生存能力 (Survivability)。
    产品和系统成本
    一直以来,汽车电子应用都采用Bvdss约60V的功率器件。而新的系统同时使用更高和更低的电压等级,以更具成本效益的方式提供前所未有的系统性能。
    高压电/磁电喷射系统和高强度照明是两种广为流行的应用,都需要击穿电压高达150V 到 300V的功率MOSFET。势能更高的压电和磁电燃油喷射系统能够提供更准确的燃油喷射和更精细的空气/燃油混合比例,使燃烧更充分,有害排放得以降低,并最终提高性能。
    相比普通白炽灯,高强度照明技术消耗更少的能量却能够产生更大的照明强度。这样不仅可以提高驾驶人员在夜晚或恶劣天气条件下的能见度,同时也便于其它驾驶人员看到自己的车辆。
    除了电压更高的汽车电子功率应用外,车辆内部消费应用产品快速的涌现也对电压范围提出更高要求。CD/DVD播放器、卫星无线电、手机、GPS导航、MP3播放器接口就是需要功率MOSFET器件的新型应用范例。
    这些应用所需的实际功率一般低于采用更小的分立或集成式元件的功率范围。功率器件具有它们所服务的消费产品的相同特征。
    在上述应用中,尺寸非常重要,故往往采用PCB封装(其占位面积更小),或表面封装的新型功率器件。Power 56 和 Super SOT SSOT 6等封装普遍用于这些应用中,在很小的封装中提供相当高的功率处理能力。
    许多历来是机械或液压式的车载系统正在向电动或电动/液压混合系统转型。首当其冲的是散热器风扇。采用电动电机后,可以去掉风扇皮带,风扇可利用现有引擎或根据冷却剂温度来进行更精确地控制。
    其它类似应用还有电动助力转向 (EPS)、集成式启动器交流发电机 (ISA) 和主动式悬挂系统。电动助力转向和主动式悬挂系统为车载系统设计人员提供了相当大的灵活性,让他们可以在多个车辆平台上使用硬件系统,并通过软件修改来改变车辆从轻便到豪华型的感觉。
    汽车电子 MOSFET
    这些电动/机械系统的特征之一是使用的功率等级极高,因此需要大电流功率开关。为了能够以尽量小的损耗提供最高的电流转换,这些应用一般采用额定电压30V 到 40V的高性能沟道型MOSFET (Trench MOSFET)。
    功率MOSFET解决方案
    沟道型MOSFET已成为当前大部分车载应用的标准应用。传统的平面型MOSFET建立在硅晶圆表面之上,而沟道型MOSFET是在硅片上蚀刻垂直沟道,从而让功率开关得以拥有更高的单元密度和更低的导通阻抗。
    由于这些电子机械系统大多数都采用了MOSFET H桥式电机驱动结构,两个器件总是串联以便使用电压更低的MOSFET,同时仍然可以耐受常见的汽车高电压冲击现象。
    相比60V MOSFET,这些击穿电压更低的器件能够把开关的导通阻抗降低50%,这意味着系统功耗减少50%,亦即系统发热减少,最终把散热要求降至最低。
    随着车载系统设计人员在低电压功率MOSFET方面累积更多的经验,并开始认识到其性能和成本优势,低电压功率MOSFET的应用范围正在向刹车和显示屏控制等其它低功率系统扩展。
    现在的功率沟道型MOSFET的导通阻抗(RDS(ON)) 低至1或2mΩ。这虽然大大降低了系统功耗,但给车载系统设计人员带来了其它复杂性,包括板上布线、系统连接等。
    同时,封装中引线在内的寄生阻抗给系统带来的额外阻抗很可能超过了实际MOSFET的自身导通阻抗。要进一步降低导通阻抗,获得更高功率密度的方法之一是使用混合模块。
    当前许多应用都已开始放弃传统的功率封装解决方案,改为在IMS (绝缘金属基板) 或 DBC (直接键合铜) 等材料制作的绝缘基板上安装裸片。即使在使用相同功率硅芯片的情况下,相比分立式功率封装,这些模块提供的能量和电流能力更高。
    模块能够提供更高密度的裸片键合或更大的裸片引线键合,可减小互连阻抗,同时又把功率元件之间的距离减至最小。这种更高能量密度的代价是元件成本较分立式封装方案高。不过,对于高能量系统,系统尺寸和性能方面的改进足以弥补器件成本增加的缺憾。
    汽车电子 MOSFET
    汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别,MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
    这些感测元件能够测量电流或温度,并能够连接到电子设备上从而监控系统性能,并在出现过流或过热情况时保护功率器件免受损害。
    30V到60V范围的低功率器件正在集成到包括串联接口和微控制器在内的单片式IC中。这种专用的单片IC能够控制小型电机,甚至可能通过电机和门锁控制整个门节点。
    对于更高能量的应用,单片式IC在成本或技术上都不可行,但可以采用创新的封装解决方案来实现集成。通过把大功率MOSFET和控制集成电路整合在单个封装中,可以构建超高功率的智能系统。
    下图所示为目前车载系统中采用多芯片封装的几个实例。这些智能化器件可以提供更高的系统性能监控能力,通过集成保护功能提高功率系统的可靠性。如过流、过压和过热保护等功能都是这类产品的标配。
    当器件感测到有可能发生上述异常状况时,能够把功率MOSFET置于整个系统自我保护的环境中。此外,这些器件还集成附加诊断功能,用以监控负载开路或短路,有助于指导汽车机械装置隔离和纠正车辆中出现的问题。
    汽车电子 MOSFET
    最后,或许也是所有应用背后最重要的推动力量及众多此类技术可用的原因所在即产品和系统成本。在汽车业务中,有不变的推动力一直在降低产品和系统的成本。
    其不仅推动元件成本的降低,也推动车辆拥有成本的降低。可靠性也是成本的推动力之一,可能导致线路故障或现场故障的低成本功率器件并不是真正的低成本器件。在选择汽车所采用的元件时,系统设计人员必须把成本和可靠性作为主要的推动力量。
    汽车市场已为功率和智能功率器件建立了几个产品认证标准,如AECQ100 和 AECQ101标准。面向汽车市场开发和供应的产品必须经设计和特性化,以满足这些严格标准的要求,确保终端系统的性能能够满足设计人员,更重要的是满足车主对产品价值的期望。
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