驱动电路中的误开通
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时，功率器件就会被开通；而当门极电压低于开通阈值时，功率器件就会被关断。
但在实际的应用中，由于器件及外围线路寄生参数的影响，会导致原本关断的功率器件会被误开通。
图 1. 米勒效应引起的误开通
图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)。这个位移电流流经 Rg, M2 后就会在 Vg上产生一个电压尖峰 (Vspk)。
如果这个电压尖峰超过了 MOSFET 的开通阈值，MOSFET 就会被开通，从而导致电路直通甚至损坏。
还有一种误开通是由于线路上的寄生电感引起的，如图2所示。Ls 是MOSFET 源极上的寄生电感。
当 MOSFET 快速关断时，电流（ids）迅速的减小产生较高的 di/dt，从而在 Ls 的两端产生一个负的电压（VLS）。这个VLS电压如果超过了 MOSFET 的门极阈值，MOSFET 就会被误开通。
图 2. 寄生电感引起的误开通
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