分析MOS管的开启电压对管子导通状态的影响。
准备工具： 电路仿真软件LTspice,NMOS模型电路，NMOS数据手册等
进行试验：步骤1、先搭建一个简单的NMOS开关仿真电路，如图：
MOS的开启电压，如下图，
从图中可以看到MOS管的开启电压在1v~2.2v之间，所以我们将VGS驱动电压设置在2.5v,然后改变电阻R1的阻值，观察VDS的电压变化。
步骤3、设置好参数后，我们开始仿真，仿真结果如图下；
从图中我们可以看到电阻R1的变化带来VDS的压降变化，0.4v到10v,也就是从接近完全导通到完全截止。
步骤4、接下来我们将驱动电压VGS设置为2.8v,在来仿真一下，结果如图下；
这次我们可以看到只有两根线了，并且VDS的压降最低为0v,也就是说管子在VGS=2.8V的时候，漏极电阻调到合适的值，管子是可以完全导通的。
步骤5、我们把VGS的值改为3V，再来仿真看结果
这次我们可以看到管子VDS的压降也就完全到mv级别了。
从上面这几个仿真可以发现，1、NMOS的漏级电压vds由驱动电压VGS和漏极电阻R1决定；2、VGS越大越有利于管子的导通；3、MOS管的驱动电压要大于规格书的最大开启电压（最小1v)，才能让管子完全导通。
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