Vds与Vdsat的关系
Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和区，需要让Vds -Vdsat大于某个经验值。
作图步骤详见前文
在长沟道工艺（大约是大于4um）中，Vdsat=Vov， 过驱动电压Vov=Vgs-Vth，当Vds > Vdsat时，MOS管的沟道夹断（pinch off），电流饱和。
但在先进工艺中，Vdsat偏离了Vov，也就是小于Vov，这是因为速度饱和效应，Vds达到Vdsat而还没有达到Vov时，电流就饱和了。此时，沟道还没有夹断。
速度饱和效应：沟道场强
足够强时，多子漂移速度为
也就是速度达到饱和，为定值Vsat，平方律公式变为了一次的。
使管子工作在亚阈值区的目的：
相同电流下，亚阈值区的Vdsat小，gm小，等效输入噪声电压小，但同时W/L大，电容大。
Vgs<Vth约100mV，Vds>3VT【VT=0.026V】，是亚阈值区的饱和区，这时扩散电流为主。
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