CMOS门电路
MOS管
电平较低的一端被认为是源极。衬底和地相连。
晶体管状态由Vg控制。
Vg为低电平--源极和漏极之间无连接--晶体管断开--开关断开
Vg为高电平--源极和漏极之间相连接--晶体管导通--开关闭合
电平较低的一端被认为是源极。衬底和Vdd相连。
晶体管状态由Vg控制。
Vg为低电平--源极和漏极之间无连接--晶体管断开--开关断开
Vg为高电平--源极和漏极之间相连接--晶体管导通--开关闭合
MOS管的漏极D和源极S作为开关两端接在电路中，开关通断受栅极G的电压控制。
CMOS门电路
就是将PMOS与NMOS组合起来的电路
电路结构
对于输入信号给定一定值，Vff要么被PDN下拉至0，要么被PUN下拉至VDD。
PDN和PUN中晶体管的数量相同，且两个网络成对安排。
若PDN中NMOS的晶体管串行连接，则PUN中PMOS晶体管是并行连接。反之亦然。
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