Cadence仿真中,MOS管的参数很多,有些参数可以直接添加到计算器中,进行数据的计算。
type:MOS管类型,可能值为 n 或 p。
region:MOS管的工作区域,可能值为 0~4,分别对应:0: 关断;1: 线性区;2: 饱和区;3: 亚阈值区;4: 击穿
reversed:MOS管是否反向,可能值为 yes 或 no。
ids (A): 阻性漏源电流
lx4 (A): ids 的别名,当 MOS管反向时有相反的符号。
lx50 (A):衬源电流。
vgs / lx2 (V):栅源电压。
vds / lx3 (V):漏源电压。
vbs / lx1 (V):衬源电压。
vth (V):有效阈值电压。
lv9 (V):vth 的别名。
vdsat (V):漏源饱和电压。
lv26 (V):平带电压(Flat-band voltage)。
lv10 (V):vdsat 的别名。
gm / lx7 (S):共源跨导。
gds / lx8 (S):共源输出跨导。
gmbs / lx9 (S):衬底跨导。
betaeff (A/V2):有效 β 值。
cjd / lx29 (F):漏区衬底结电容。
cjs / lx28 (F):源区衬底结电容。
lx12 (Coul):衬底电荷(Qb)
lx14 (Coul):栅极电荷(Qg)
lx16 (Coul):漏区电荷(Qd)
lx24 (Coul):漏区 PN 结电荷。
lx26 (Coul):源区 PN 结电荷。
cgg / lx18 (F):dQg_dVg
cgd / lx19 (F):dQg_dVd
cgs / lx20 (F):dQg_dVs
cgb (F):dQg_dVb
cdg / lx32 (F):dQd_dVg
cdd / lx33 (F):dQd_dVd
cds / lx34 (F):dQd_dVs
cdb (F):dQd_dVb
csg (F):dQs_dVg
csd (F):dQs_dVd
css (F):dQs_dVs
csb (F):dQs_dVb
cbg / lx21 (F):dQb_dVg
cbd / lx22 (F):dQb_dVd
cbs / lx23 (F):dQb_dVs
cbb (F):dQb_dVb
ron():导通电阻。
id / i1 (A):漏端电流。
is / i3 (A):源端电流。
ibulk / i4 (A):衬底电流。
lx5 (A):源端 PN 结电流。
lx6 (A):漏端 PN 结电流。
pwr (W):处于工作点时的功耗。
gmoverid (1/V):Gm/Ids
lv36 (F):栅源交叠电容。
lv37 (F):栅漏交叠电容。
lv38 (F):栅衬底交叠电容。
lx10 (S):漏区二极管跨导。
lx11 (S):源区二极管跨导。
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