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  • Cadence仿真,MOS管参数名称详解
    • 发布时间:2023-01-31 15:27:12
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    Cadence仿真,MOS管参数名称详解
    MOS管
    Cadence仿真中,MOS管的参数很多,有些参数可以直接添加到计算器中,进行数据的计算。
    type:MOS管类型,可能值为 n 或 p。
    region:MOS管的工作区域,可能值为 0~4,分别对应:0: 关断;1: 线性区;2: 饱和区;3: 亚阈值区;4: 击穿
    reversed:MOS管是否反向,可能值为 yes 或 no。
    ids (A): 阻性漏源电流
    lx4 (A): ids 的别名,当 MOS管反向时有相反的符号。
    lx50 (A):衬源电流。
    vgs / lx2 (V):栅源电压。
    vds / lx3 (V):漏源电压。
    vbs / lx1 (V):衬源电压。
    vth (V):有效阈值电压。
    lv9 (V):vth 的别名。
    vdsat (V):漏源饱和电压。
    lv26 (V):平带电压(Flat-band voltage)。
    lv10 (V):vdsat 的别名。
    gm / lx7 (S):共源跨导。
    gds / lx8 (S):共源输出跨导。
    gmbs / lx9 (S):衬底跨导。
    betaeff (A/V2):有效 β 值。
    cjd / lx29 (F):漏区衬底结电容。
    cjs / lx28 (F):源区衬底结电容。
    lx12 (Coul):衬底电荷(Qb)
    lx14 (Coul):栅极电荷(Qg)
    lx16 (Coul):漏区电荷(Qd)
    lx24 (Coul):漏区 PN 结电荷。
    lx26 (Coul):源区 PN 结电荷。
    cgg / lx18 (F):dQg_dVg
    cgd / lx19 (F):dQg_dVd
    cgs / lx20 (F):dQg_dVs
    cgb (F):dQg_dVb
    cdg / lx32 (F):dQd_dVg
    cdd / lx33 (F):dQd_dVd
    cds / lx34 (F):dQd_dVs
    cdb (F):dQd_dVb
    csg (F):dQs_dVg
    csd (F):dQs_dVd
    css (F):dQs_dVs
    csb (F):dQs_dVb
    cbg / lx21 (F):dQb_dVg
    cbd / lx22 (F):dQb_dVd
    cbs / lx23 (F):dQb_dVs
    cbb (F):dQb_dVb
    ron():导通电阻。
    id / i1 (A):漏端电流。
    is / i3 (A):源端电流。
    ibulk / i4 (A):衬底电流。
    lx5 (A):源端 PN 结电流。
    lx6 (A):漏端 PN 结电流。
    pwr (W):处于工作点时的功耗。
    gmoverid (1/V):Gm/Ids
    lv36 (F):栅源交叠电容。
    lv37 (F):栅漏交叠电容。
    lv38 (F):栅衬底交叠电容。
    lx10 (S):漏区二极管跨导。
    lx11 (S):源区二极管跨导。
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