MOS管TJ、TA、TC
一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja
P是芯片最大的功耗
Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻
应用比较广泛的是计算二极管和MOS管的损耗和温度是否支撑的住，我们一般计算都是室温下25，如果是放在温箱中TA带入就不能是25
比如一个器件室温下工作TA=TC=25度
功耗最大是1.5W Rja=Rjc=83.3
TJ=25+1.5*83.3=149.95
所以 TC=150-P*Rjc
假如管子功耗是1W 则最大能承受的的壳体温度为TC=150-1*Rjc=66.7度
如果壳体温度大于66.7度 对应的管子的功耗必然下降 管子本身也对应有一个功耗的降额值
比如说12mw/度 那么对应的功耗P=Pmax-(TC-25)*0.012
P=1.5-（66-25）*0.012=1.008W 同温度计算值相差不大 公式适应
通过这种方式 可以变相算出TJ TC和功耗等情况。
同时 当温度过高时 二极管的正向电流会相应减小 （跟负载能力相关） 正向导通压降会相应减小 这个可以参考手册曲线，选型二极管的时候一定要保证二极管的损耗在0.5W内，否则不适应于二极管的场合。
按照上面的公式可以 推出TJ=25+110*1.14=150 符合公式
P=(150-TC)/1.14
假如工作环境在60度的时候 则P=（150-60）/1.14=79W
MOS管选型时候需要考虑开关损耗和温度
纯开关应用 不考虑开关损耗是 P=ID^2*Rdson ID是连续漏电流
按照实际应用推算 P=(150-TC)/1.14 公式 可以反向推导ID是多少。
当涉及到开关 必须要考虑的就是损耗 损耗与芯片的运行温度和发热量有关系
MOS管的损耗包含：AC损耗 DC损耗 死区时间功耗（在有占空比的时候用到 同步整流时候二个管子同时关闭）
AC 损耗（PswAC） = ? * Vds * Ids * (trise + tfall)*Fsw
DC 损耗: PswDC = RdsOn * Iout * Iout * 占空比（其中占空比为输出/输入）
死区时间损耗Pdt=2*VF(体二极管的导通压降)*Io*Tdead_time*Fsw
如果是同步整流电流 则:
高边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)
低边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(1-Vo/vin)
如果是异步整流，则下管是二极管：
高边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)
二极管的导通电阻损耗PswDC = VF*Iout*(1-Vo/vin)
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