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AO9926/SOP-8/SOIC-8封装参数:点击查看
极性:NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:6A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:2W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=6A,VGS=4.5V: Typ 21mΩ Max 25mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=4A,VGS=2.5V:Typ 32mΩ Max 45mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
AO9926场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸:
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