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AO4812/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
AO4812场效应管参数具体如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：30V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：6A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=6A,VGS=10V： Typ 25mΩ Max 30mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 33mΩ Max 42mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
AO4812场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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