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AO4606/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
AO4606场效应管参数具体如下：
极性：NMOS+PMOS
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：6A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：6A
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=6A,VGS=10V： Typ 20mΩ Max 30mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 33.5mΩ Max 42mΩ
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-30VContinuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-5.5A
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-6.5A,VGS=-10V： Typ 40mΩ Max 48mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 34mΩ Max 44mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
AO4606场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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