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AO4485/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
AO4485场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-13A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：3W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-10A,VGS=-10V：Typ 14mΩ Max 19mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Tpy 19.5mΩ Max 25mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
AO4485场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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