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    • 发布时间:2022-11-24 16:47:33
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    AO4614
    AO4614/SOP-8/SOIC-8封装参数:点击查看AO4614
    AO4614场效应管参数具体如下:
    AO4614
    极性:NMOS+PMOS
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:40V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:7.2A
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:1.67W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=10V: Typ 20mΩ Max 26mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=4A,VGS=4.5V:Typ 28mΩ Max 33mΩ
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-40V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-6.5A
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:1.67W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-6A,VGS=-10V: Typ 45mΩ Max 54mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-4A,VGS=-4.5V:Typ 80mΩ Max 85mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    AO4614场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸:
    AO4614
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