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SI2317/SOT-23封装参数：点击查看
SI2317场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-18V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-7A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-4.1A,VGS=-4.5V：Typ 20mΩ Max 28mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-2.5V：Tpy 27mΩ Max 36mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
SI2317场效应管/SOT-23封装尺寸：
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