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SI2319/SOT-23封装参数：点击查看
SI2319场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-3A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：1.25W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：0.8W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-10V：Typ 75mΩ Max 82mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2.4A,VGS=-4.5V：Tpy 100mΩ Max 130mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
SI2319场效应管/SOT-23封装尺寸：
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