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    • 发布时间:2022-07-15 16:08:16
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    SI2319
    SI2319/SOT-23封装参数:点击查看SI2319
    SI2319场效应管参数具体如下:
    SI2319
    极性:PNP
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-40V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-3A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:1.25W
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:0.8W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-10V:Typ 75mΩ Max 82mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2.4A,VGS=-4.5V:Tpy 100mΩ Max 130mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    SI2319场效应管/SOT-23封装尺寸:
    SI2319
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