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    • 发布时间:2022-04-27 22:18:56
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    SI2312
    SI2312/SOT-23封装参数:点击查看SI2312
    SI2312场效应管参数具体如下:
    SI2312
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:20V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±12V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:5A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:0.35W
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V:Typ 24mΩ Max 30mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=4A,VGS=2.5V:Tpy 30mΩ Max 40mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    SI2312场效应管/SOT-23封装尺寸:
    SI2312
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