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SI2312/SOT-23封装参数：点击查看
SI2312场效应管参数具体如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：5A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：0.35W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 24mΩ Max 30mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=4A,VGS=2.5V：Tpy 30mΩ Max 40mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
SI2312场效应管/SOT-23封装尺寸：
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