100N02场效应管,100A 20V,100N02参数资料,100N02引脚图,100N02中文资料规格书PDF
100N02 TO-252参数封装：点击查看
100N02封装有TO-252/TO-220/TO-220F
100N02场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：100A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：52A
Power Dissipation 功率损耗Pd：80W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ：2.5mΩ Max 4.5mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
100N02场效应管/TO-252封装尺寸：
100N02场效应管/TO-220封装尺寸：
100N02场效应管/TO-220F封装尺寸：
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280