1N60场效应管,1A 600V,1N60参数资料,1N60引脚图,1N60中文资料规格书PDF
1N60 TO-252参数封装：点击查看
1N60封装有TO-252/TO-220/TO-220F
1N60场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：600V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：1A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：0.6A
Power Dissipation 功率损耗Pd：28W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=0.5A,VGS=10V：Typ：9.3Ω Max 11.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
1N60场效应管/TO-252封装尺寸：
1N60场效应管/TO-220封装尺寸：
1N60场效应管/TO-220F封装尺寸：
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280