1N65场效应管,1A 650V,1N65参数资料,1N65引脚图,1N65中文资料规格书PDF
1N65 TO-252参数封装：点击查看
1N65封装有TO-252/TO-220/TO-220F
1N65场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：1A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：0.6A
Power Dissipation 功率损耗Pd：28W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=0.5A,VGS=10V：Typ：9.3Ω Max 11.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
1N65场效应管/TO-252封装尺寸：
1N65场效应管/TO-220封装尺寸：
1N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
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