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    • 发布时间:2022-02-14 17:46:49
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    1N65
    1N65 TO-252参数封装:点击查看1N65
    1N65封装有TO-252/TO-220/TO-220F
    1N65场效应管参数如下:
    1N65
     
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:650V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:1A
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃:0.6A
    Power Dissipation 功率损耗Pd:28W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=0.5A,VGS=10V:Typ:9.3Ω Max 11.5Ω
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    1N65场效应管/TO-252封装尺寸:
    1N65
    1N65场效应管/TO-220封装尺寸:
    1N65
    1N65场效应管/TO-220F封装尺寸:
    1N65
     
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