100N04场效应管,100A 40V,100N04参数资料,100N04引脚图,100N04中文资料规格书PDF
100N04 TO-252参数封装：点击查看
100N04封装有TO-252/TO-220/TO-220F
100N04场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：100A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：58A
Power Dissipation 功率损耗Pd：52.1W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=15A,VGS=10V：Typ 4.5mΩ Max 6.5mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
100N04场效应管/TO-252封装尺寸：
100N04场效应管/TO-220封装尺寸：
100N04场效应管/TO-220F封装尺寸：
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