50N04场效应管,50A 40V,50N04参数资料,50N04引脚图,50N04中文资料规格书PDF
50N04 TO-252参数封装：点击查看
50N04封装有TO-252/TO-220/TO-220F
50N04场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：50A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：23A
Power Dissipation 功率损耗Pd：31.3W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=15A,VGS=10V：Typ：13.5mΩ Max 17mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
50N04场效应管/TO-252封装尺寸：
50N04场效应管/TO-220封装尺寸：
50N04场效应管/TO-220F封装尺寸：
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