50N10场效应管,50A 100V,50N10参数资料,50N10引脚图,50N10中文资料规格书PDF
50N10 TO-252参数封装：点击查看
50N10封装有TO-252/TO-220/TO-220F
50N10场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：50A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：21A
Power Dissipation 功率损耗Pd：85W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=20A,VGS=10V：Typ：24mΩ Max 28mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
50N10场效应管/TO-252封装尺寸：
50N10场效应管/TO-220封装尺寸：
50N10场效应管/TO-220F封装尺寸：
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