MOS管防过压电路
Vin正常输入电压时，稳压管没有反向击穿，R3，R4电流基本为0。（个人理解：首先对于D1这个稳压管的钳位电压一定是稍微大于电源正常的工作电压的，看做是断开的）
PNP三极管的Vbe=0，即PNP三极管不导通。
PMOS管Q4的Vgs由电阻R5，R6分压决定，PMOS管导通，即电源正常工作。
当Vin输入大于正常输入电压（过压情况下），此时Vin>Vbr（输入电压大于稳压管D1的击穿电压 ），稳压管被击穿（导通），其上电压为Vbr（此时为钳位电压）。
PNP三极管Q1导通（当电源的过电压可以在三极管的射极和基极产生一个大约0.7v的导通压降的时候），VCE≈0（三极管导通），即PMOS管的Vgs≈0（三极管导通这两极相当于短路），PMOS管不导通，电路断路，即实现了过压保护。
MOS管防反接防过压电路一体
防反接这个其实就是利用了左下角这个NMOS管的特性，对于NMOS如果我们给上面这个图加上反向的电压是不导通的。（NMOS导通的条件是G极接高电位，另外上图并不是常用的接法，我们应该将NMOS的源极一侧接地）
MOS管防反接防过压电路
如上图
当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管（补充一句我习惯称为：寄生二极管）接通，后续因为Vgs大于Vgsth门限电压，MOS管导通。
当电源接反时，体二极管不通，并且Vgs的电压也不会符合要求，NMOS管不通，电路中没有电流回路，断路，负载不工作，也不会烧坏，实现了保护。
需要提起的是，当电源正常接入时，电路中的电流是从S到D。与常规NMOS管使用的电流方向是不同的。
电路需要注意，正常情况下Vgs不能大于NMOS管的Vgs最大耐压值，如果超过了可以在Vgs上面跨接一个稳压管防止烧坏。
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