记忆方法、绘图:
1. 与SUB衬底(工艺中为N-Well / P-Well)联接的一端均为S源极,另一端为D漏极。符号中三横线表示三沟道,相联的两条对应一端必为S源极;
2. 符号中箭头方向代表电子e的移动方向;Ep.N沟道MOS管多数载流子为电子e,工作时电子e流向沟道内侧,箭头向内,PMOS相反;
3. 寄生二极管方向与箭头(电子e)方向同向(类似并联电路电流方向一致);
4. D漏极、S源极接高电势一端必定为寄生二极管指向的一端;
原理:
PMOS要形成P沟道(PNP),所需载流子为空穴,开关速度慢——【助记】P上面"O"类似空穴;
NMOS要形成N沟道(NPN),所需载流子为电子e,开关速度快——【助记】N转90度类似"e";
特性:
1. NMOS N沟道载流子为电子e,形成导通沟道需要 + 电荷的吸引,因此高电平导通、低电平关闭;
2. PMOS P沟道载流子为空穴,形成导通沟道需要 - 电荷吸引,因此低电平导通、高电平关闭;
注:该方法仅供协助记忆,实际原理并非吸引,而是电场作用下电子在各原子间的移动。
制造工艺:
如图左侧为NMOS,右侧为PMOS。
1. PW(P-Well(P阱))、NW(N-Well(N阱)),为NMOS、PMOS的衬底;
2. 为满足半导体工艺制程要求,衬底联接端与源、漏极设计在同一侧(为降接触电阻,接触位置离子注入浓度高、各接触点位置Dep金属硅化物)。
3.通过相互联接,可以组成最基础的逻辑门电路,与门、非门、或门、与非门、或非门、异或门等,从而实现芯片逻辑运算。
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